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  • ISSN 1008-9357
  • CN 31-1633/O6

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曝光方式对负性光敏聚酰亚胺图形化的影响

张配荧 尹玄文 李珍 陆学民 路庆华

张配荧, 尹玄文, 李 珍, 陆学民, 路庆华. 曝光方式对负性光敏聚酰亚胺图形化的影响[J]. 功能高分子学报,2022,35(6):554-559 doi: 10.14133/j.cnki.1008-9357.20220328001
引用本文: 张配荧, 尹玄文, 李 珍, 陆学民, 路庆华. 曝光方式对负性光敏聚酰亚胺图形化的影响[J]. 功能高分子学报,2022,35(6):554-559 doi: 10.14133/j.cnki.1008-9357.20220328001
ZHANG Peiying, YIN Xuanwen, LI Zhen, LU Xuemin, LU Qinghua. Effect of Exposure Mode on Negative Photosensitive Polyimide Patterning[J]. Journal of Functional Polymers, 2022, 35(6): 554-559. doi: 10.14133/j.cnki.1008-9357.20220328001
Citation: ZHANG Peiying, YIN Xuanwen, LI Zhen, LU Xuemin, LU Qinghua. Effect of Exposure Mode on Negative Photosensitive Polyimide Patterning[J]. Journal of Functional Polymers, 2022, 35(6): 554-559. doi: 10.14133/j.cnki.1008-9357.20220328001

曝光方式对负性光敏聚酰亚胺图形化的影响

doi: 10.14133/j.cnki.1008-9357.20220328001
基金项目: 国家自然科学基金重点项目(51733007)
详细信息
    作者简介:

    张配荧(2000—),女,四川人,主要研究方向为功能高分子。E-mail:zhangpeiying@sjtu.edu.cn

    通讯作者:

    路庆华,E-mail:qhlu@sjtu.edu.cn

  • 中图分类号: TQ323.7

Effect of Exposure Mode on Negative Photosensitive Polyimide Patterning

  • 摘要: 光刻胶产业化过程遇到的第一个技术屏障是实验室优化的材料组分和光刻工艺在工业生产线上不能再现图形,原因是实验室与工业生产线的曝光方式不同所致。本文以负性光敏聚酰亚胺树脂为例,配合以不同引发速率的引发剂,在相同的曝光能量下以步进式(高功率、短时间)和接触式(低功率、长时间)两种模式分别进行曝光实验。通过观察图形质量发现:步进式曝光匹配引发速率快的引发剂、接触式曝光配合引发速率慢的引发剂才能获得最佳的图形效果。结合自由基形成和扩散动力学诠释了不同曝光模式下的图形化规律,为实验室产品走向工业应用提供了组分修正的理论依据。

     

  • 图  1  光引发剂A和B形成自由基的反应

    Figure  1.  Free radical formation of initiators A and B

    图  2  自由基的链引发和偶合终止反应

    Figure  2.  Chain initiation and coupling termination of free radicals

    图  3  自由基的扩散对光刻图形的影响

    Figure  3.  Influence of free radical diffusion on photolithographic patterns

    图  4  引发速率不同的光刻胶在两种曝光模式下的图形化效果

    Figure  4.  Patterning effects of photoresists with different initiation rates in two exposure modes

    图  5  调整曝光时间对不匹配体系的光刻图形改善效果

    Figure  5.  Effect of adjusting exposure time on lithography pattern improvement for the mismatched systems

    表  1  两种光刻胶分别在两种曝光模式、相同曝光量下的留膜率

    Table  1.   Film retention rate of two photoresists in two exposure modes with the same exposure dose

    Exposure modeFilm retention rate/%
    Initiator A + mode Ⅰ95
    Initiator A + mode Ⅱ88
    Initiator B + mode Ⅰ17
    Initiator B + mode Ⅱ86
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出版历程
  • 收稿日期:  2022-03-28
  • 录用日期:  2022-05-06
  • 网络出版日期:  2022-08-02
  • 刊出日期:  2022-12-01

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