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    程发良, 莫金垣. 亚硝基聚吡咯修饰离子选择性电极的制备及化学性能[J]. 功能高分子学报, 1997, 10(4): 579-581.
    引用本文: 程发良, 莫金垣. 亚硝基聚吡咯修饰离子选择性电极的制备及化学性能[J]. 功能高分子学报, 1997, 10(4): 579-581.
    shu

    亚硝基聚吡咯修饰离子选择性电极的制备及化学性能

      摘要
    • 摘要: 用循环伏安法（ＣＶ）制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择性电极。表征了电极的性能。在１０－１～５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好的线性关系，斜率５１ｍＶ／ＰＮＯ－２。观察了ＮＯ－２在ＰＰｙ膜中掺杂－去掺杂过程，从而验证了电极响应是基于掺杂机理。

       

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